IPD068N10N3G دیتاشیت

IPD068N10N3G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD068N10N3G
حجم فایل 64.731 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت IPD068N10N3G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD068N10N3G
  • Power Dissipation (Pd): 150W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 90A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@90uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.8mΩ@10V,90A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه